微電子器件常用的低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
作者：
salmon范
編輯：
瑞凱儀器
來(lái)源：
m.zhangclab.com
發(fā)布日期： 2020.10.31
通常，微電子器件產(chǎn)品使用如下幾個(gè)低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):
1）CJB 150.2A-2009《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第二部分低氣壓（高度）試驗(yàn)》；
2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法105低氣壓試驗(yàn)》（ 等效美軍標(biāo)MIL-STD- 202F）；
3）GJB 548B-2005 《微電子器件試驗(yàn)方法和程序方法1001低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D）；
4）CB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)總則》；
5）GB/T 2423.21-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M低氣壓試驗(yàn)方法》；
6）CB/T 2423.25-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ZAM低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
7）CB/T 2423.26-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法>；
8）CB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ZAMD高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
9）CB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。
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